ON Semiconductor NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (20), MJD112T4G

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ON Semiconductor NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252) 最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 v 実装タイプ : 表面実装 トランジスタ構成 : シングル 最小dc電流ゲイン : 200 最大ベース-エミッタ間飽和電圧 : 4 v 最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 3 v 最大コレクタカットオフ電流 : 0.02ma 寸法 : 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

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